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钲铭科(图)_同步整流快充芯片_快充芯片

发布时间:2017-05-20

产品价格:面议

产品类型:钲铭科

产品规格:不限

产品总量:

信息描述

同步整流快充芯片,手机快充芯片,5v2A快充芯片,快充芯片

能量再生与同步整流

       在开关管V导通时,变压器接收的电能除了磁化电流外都将传送到输出端。而管V关跃的反激作用期间,导向二极管D2用反偏置故不可能有钳位作用或能量泄放的回路。磁化能量将会产生较大的反压加在开关管的集一射极之间。










      为了防止高反压的产生,手机快充芯片,设置了“能量再生绕组”P2,由绕组△经过二极管D,使存储的能量反馈回直流电源Ui中。只要满足Wp1=Wp2的关系,D1流过电流时Up2=Ui,则开关管V上承受的集一射极电压为2Ui。图为了避免在P1和P2绕组之间存在的漏电感过大,和因此而在开关管集电极上产生过高的电压,一般采用初级绕组P1与能量再生绕组P2双线并绕的方法。在这种配置中,二极管D1接在能量再生绕组如图所示的位置是非常重要的。原因是双线并绕引起的内部杂散电容Cc是在开关管V的集电极与绕组P2和D1连接点之间的寄生电容。按照图中的接法是有优点的,如在开关管V导通时,由于二极管D,反向而隔开了集电极,没有任何的电流在V瞬时导通时流进电容Cc中(注意,绕组P1和P2的非同铭端同时变负,而且Cc的两端电压不会改变)。但是在反激期间,5v2A快充芯片,Cc提供开关管V的钳位作用,任何过电压的趋势都会引起Cc流过电流,而且经过D,反馈到电源**。如果寄生电容不够大,只靠P1、P2绕组磁耦合,钳位电压超值时,常常可以在%位置加外接电容补充以改善它的钳位作用。然而,如果电容值过大时,会使得输出电压**有输人电压叽纹波频率调制的电压分量,所以要小心地选用附加电容Cc的值。

      在开关管V导通时,输入电压Ui加在(Lp+LLT)上,由于D2反偏置阻止C2的充电,同步整流快充芯片,所以Uc2≈0。当开关管V关断时,由于反激作用,V的集电极电压Uc快速上升,但由于砀此时受正偏压而导通,使V电流被C2、R1分流,Uc电压逐渐上升,即U(电压也是逐渐上升,快充芯片,而且钳位在2Ui数值上。从而把Uc上升的尖峰电压的顶部消去,如虚线所示的脉冲尖峰。

      在一个周期剩下的时间里,随着R1放电电流的减小,C2上的电压降会返回到原来值。多余的反激电能,被消耗在R1上。此钳位电压是自跟踪的,在稳态工作时,因为C2上的电压会自动地调整,直到所有多余的反激电能消耗在R1上。如果在所有其他情况下,都要维持某一恒定钳位电压时,则可以通过减小R1值或漏电感Lyp的值,来抑制钳位电压的升高趋势。

      不能把钳位电压设计得太低,因为反激过冲电压也有有用的一面。在反激作用时,它提供了一个附加强制电压值来驱动电能进入到次级电感。使变压器次级的反激电流迅速增加。提高了变压器的传输效率,同时也减小了电阻R)上的损耗。这对于低压大电流输出是很有意义的。

        深圳市钲铭科电子有限公司专注做芯片十余年。



                       同步整流 OPPO VOOC方案(属于低压快充)

   称自己研发的快充技术为“ VOOC闪充技术“,也是**神秘的快充技术,目前只有OPPO的几款产品在用,即Find 7和N3等,由于OPPO对此技术有专利限制,其它手机厂商只能叹为观止,且成本相对较高,充电器体积较大,便携方面没有其它快充技术的好。

  OPPO的VOOC闪充技术与传统充电max的区别在于,创新性的将充电控制电路移植到了适配器端,也就是将max的发热源 移植到了适配器。这样控制电路在适配器,而被充电的电池在手机端,充电时手机发热得以很好的解决。为了更好的对充电流程进行控制 (比如控制电路需要实时监测电池电压、温度等),OPPO特别在适配器端加入了智能控制芯片MCU,适配器端实现了充电控制电路,智能控制充电的整个流程。

 


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